另一个制作微型霍尔片的例子，是Bolshak o v a提出的用化学输送反应法给InAs、InSb掺杂，生成须状和片状微结晶片。用它们制成微探头，特别适用于检测复杂的磁系统和小孔中的磁场。这种探头还可在快中子和高能质子辐射的环境中工作。

　　正在实现集成化的磁传感器很多，如感应微位移传感器、磁通门磁强计、核磁共振磁强计、电子自旋共振电流传感器等等。和霍尔集成电路的以及AMR集成电路不同的是这些磁传感器要集成一个个微系统，其中有线圈、磁芯、磁共振样品等等，需要空间结构。还有接口和讯号处理电路，包括激励线圈的电源、产生巨磁阻抗或磁共振所需的高频振荡源、取出讯号后的放大、解调或整形电路等等，组成非常复杂。人们调动了各种技术手段，包括半导体单片集成技术、混合集成技术、表面贴装、微机械加工、电子电路、薄膜的生成和处理等等，制成了一个个性能优异的微磁传感器系统。

　　由Po p o vic等集成的高分辨率微型化感应接近传感器达到了50n m的分辨率；他们又集成了单片核磁共振磁强计，精确度可达5 pp m。由Mo h r i等人制作的磁致阻抗梯度磁场传感器，磁场分辨率AC可达10-10T，D达10-9T，空间分辨率达30μm。由Ka w ahi t o等研制的采用闭合耦合线圈结构的高分辨率微磁通门传感器，在3MHz的激励电流下灵敏度可达2700V／T，分辨率可达4×10-8T。由Du re t等研制的电子自旋共振电流传感器，最小电流可测到10μA。